時(shí)間：2017-10-12 點(diǎn)擊： 次 來源：網(wǎng)絡(luò) 作者：佚名 - 小 + 大
| 多晶硅硅片制片過程中，氧化、外延、擴(kuò)散、光刻等工序都要涉及到去除污染物的清洗，其表面污染物的如果不去除，或去除不徹底，會(huì)嚴(yán)重影響晶片優(yōu)質(zhì)品率，同時(shí)影響晶片的可靠性，清洗多次反復(fù)清洗，不但要去除硅片表面的有機(jī)物，清洗液通常采用堿性或弱堿性洗液，表面顆粒尺寸小于微米甚至達(dá)到納米級(jí)，清洗有效率高，晶片無沉淀，達(dá)到理想的清洗效果。 多晶硅加工研磨中，比較值得注意的環(huán)節(jié)是硅磨片的清洗，因?yàn)檠心バ枰コ杈A一定的厚度，隨著加工的深入，磨片表面不斷掉落的硅粉和沙粒，影響著光潔度，再次如有研磨不均勻則還會(huì)在晶圓片毛糙的表面嵌入沙粉，后續(xù)的清洗工作就帶來了困難。雷士超聲波科技人員通過實(shí)驗(yàn)，利用堿性清洗劑，在LSAP超聲波清洗設(shè)備清洗槽中，配合滲透劑、表面活性劑等對(duì)硅磨片進(jìn)行清洗，這種超聲波水基型清洗的方法，可以把清洗時(shí)間降低到3～5分鐘，有效提高了清洗的效率和清洗效果，并且對(duì)硅晶圓、研磨晶片表面無損傷。詳情可致電0510-82465315 |